士蘭微榮獲“中國SiC器件IDM十強企業”獎

2024-01-03 15:46:34來源：士蘭微關鍵詞：SiC器件閱讀量：21292

導讀：士蘭微電子榮獲“中國SiC器件IDM十強企業”獎。

　　日前，由行家信息科技、行家芯網科技主辦的行家說三代半年會“2023碳化硅&氮化鎵產業高峰論壇暨極光獎頒獎典禮”在深圳國際會展中心舉辦。其中，士蘭微電子榮獲“中國SiC器件IDM十強企業”獎。

　　SSM1R7PB12B3DTFM是士蘭微電子基于自主知識產權的SiC MOS芯片技術所開發的六單元拓撲模塊，是士蘭微電子推出的新能源電動汽車電驅系統應用領域的主力產品之一，具有高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級等優勢，為嚴苛環境條件下的逆變器運行提供更可靠的保障。

　　該產品具有行業先進的高阻斷電壓、低導通電阻和高電流密度等技術指標，整體可靠性上達到國際先進水平。

　　該產品從芯片上采用低界面態密度和高溝道遷移率的SiC/SiO2氧化工藝研發，單芯片導通電阻達到甚至優于國外同級別器件水平；封裝方面攻克納米銀燒結、銅線鍵合技術并實現量產。

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