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2024-07-23 16:26:52來源:TechWeb.com.cn 關(guān)鍵詞:3nm制程閱讀量:21194
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臺(tái)積電3nm制程工藝量產(chǎn)已兩年 但尚未成為他們最大營(yíng)收來源
據(jù)外媒報(bào)道,在三星電子采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝量產(chǎn)近半年之后,臺(tái)積電仍采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝,也在2022年的12月29日開始商業(yè)化量產(chǎn)。消息稱臺(tái)積電考慮在日本建設(shè)第二座工廠 日本也計(jì)劃繼續(xù)提供補(bǔ)貼
臺(tái)積電考慮在日本再建一座工廠,是源自業(yè)內(nèi)人士和外媒的消息。對(duì)于補(bǔ)貼,有消息稱只要臺(tái)積電建設(shè)第二座工廠,日本方面就計(jì)劃給予建廠成本三分之一的補(bǔ)貼。臺(tái)積電預(yù)計(jì)3nm工藝Q3開始帶來可觀營(yíng)收 目前產(chǎn)能無法滿足需求
4月24日消息,據(jù)外媒報(bào)道,臺(tái)積電仍采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝,在去年的12月29日正式開始商業(yè)化生產(chǎn),雖然較三星電子晚了近半年,但仍被業(yè)界看好。凡本站注明“來源:智能制造網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-智能制造網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,未經(jīng)本站授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來源:智能制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本站將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
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CJK-3Z 觸頭強(qiáng)密封防爆磁性接近開關(guān)
CJK-3Z,強(qiáng)密封防爆磁性接近開關(guān),磁性開關(guān)產(chǎn)品特點(diǎn),磁性接近開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景,磁感應(yīng)開關(guān)參數(shù)功能豐富 實(shí)時(shí)交流
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