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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獲新突破 國(guó)產(chǎn)化替代再進(jìn)一步
受惠于內(nèi)存價(jià)格大漲帶動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)，Gartner預(yù)測(cè)，2017年半導(dǎo)體市場(chǎng)總營(yíng)收將達(dá)到4111億美元，較2016年增長(zhǎng)19.7%。這是繼2010年從金融危機(jī)中復(fù)蘇且半導(dǎo)體營(yíng)收增加31.8%之后，增長(zhǎng)為強(qiáng)勁的一次。
Gartner表示看好明年市場(chǎng)仍維持增長(zhǎng)。Gartner預(yù)測(cè)，2018年半導(dǎo)體市場(chǎng)可望增長(zhǎng)4%，達(dá)到4274億美元規(guī)模，繼續(xù)創(chuàng)新高。在利好趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速增長(zhǎng)，帶動(dòng)半導(dǎo)體材料需求快速釋放。
今年以來(lái)隨著晶圓代工臺(tái)積電開始量產(chǎn)10納米制程，明年上半年更將跨入7納米制程，且英特爾今年底前也將開始放量生產(chǎn)10納米制程，三星明年也將進(jìn)入8納米LPP制程，晶圓廠對(duì)于設(shè)備需求正持續(xù)擴(kuò)大。
業(yè)內(nèi)人士表示表示，今年以來(lái)半導(dǎo)體設(shè)備支出維持在水位，同步帶動(dòng)設(shè)備概念股業(yè)績(jī)創(chuàng)下新高。然而目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料絕大部分仍依賴進(jìn)口，本土半導(dǎo)體材料廠商僅能滿足約20%的需求，且大多為中低端材料。
要知道，材料產(chǎn)業(yè)處于集成電路制造環(huán)節(jié)的上游，材料的質(zhì)量直接影響集成電路產(chǎn)品質(zhì)量，材料的穩(wěn)定供應(yīng)也與企業(yè)生產(chǎn)進(jìn)度綁定，甚至對(duì)集成電路產(chǎn)品的市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)帶來(lái)決定性影響。
不過(guò)近日我國(guó)在半導(dǎo)體制造材料制造設(shè)備方面有了新突破。相關(guān)消息表示，近日863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過(guò)了技術(shù)驗(yàn)收。
在國(guó)家863計(jì)劃的支持下，由新疆天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司牽頭，中科院物理研究所、半導(dǎo)體研究所、浙江大學(xué)等單位共同參與的研發(fā)團(tuán)隊(duì)成功研制了滿足高壓SiC電力電子器件制造所需的4-6英寸SiC單晶生長(zhǎng)爐關(guān)鍵裝備，形成了我國(guó)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的4-6英寸SiC單晶生長(zhǎng)爐關(guān)鍵裝備體系。
所研制的4-6英寸通用型SiC單晶爐，實(shí)現(xiàn)了“零微管”(微管密度<1個(gè)/cm2)4英寸SiC單晶襯底和低缺陷密度的6英寸SiC單晶襯底的制備技術(shù)，掌握了相關(guān)外延工藝技術(shù)，生長(zhǎng)出12μm、17μm、35μm、100μm等不同厚度的SiC外延晶片，并制備了1200V、1700V、3300V、8000V碳化硅二極管系列產(chǎn)品。目前已在市場(chǎng)上批量推廣使用。
隨著我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)技術(shù)不斷獲得新進(jìn)展，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)信息交流部主任任振川認(rèn)為，未來(lái)三到五年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)將保持年均20%的增長(zhǎng)，未來(lái)對(duì)半導(dǎo)體材料的需求巨大，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)潛力巨大，未來(lái)幾年中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)新一輪發(fā)展機(jī)遇，產(chǎn)業(yè)自給率有望逐步提升，國(guó)產(chǎn)化替代前景值得期待。
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