南大光電高端ArF光刻膠獲得突破未來可用于7nm工藝

2021-06-02 09:15:03來源：快科技關鍵詞：芯片研制光刻設備閱讀量：20847

導讀：在光刻機市場上，國內自給率極低，歐美日等地區的廠商占據主要份額，JSR、信越化學等TOP5廠商占據全球87%的份額。

　　在半導體制造上，國內廠商需要突破的不只是光刻機等核心設備，光刻膠也是重要的一環。南大光電日前宣布，該公司研發的高端ArF光刻機已經獲得了國內某企業的認證，用于55nm工藝制造。

　　南大光電于5月31日晚間發布公告，控股子公司寧波南大光電自主研發的ArF光刻膠繼2020年12月在一家存儲芯片制造企業的50nm閃存平臺上通過認證后，近日又在邏輯芯片制造企業55nm技術節點的產品上取得了認證突破，表明公司光刻膠產品已具備55nm平臺后段金屬布線層的工藝要求。

　　不過南大光電沒有透露具體的客戶名字。

　　在光刻機市場上，國內自給率極低，歐美日等地區的廠商占據主要份額，JSR、信越化學等TOP5廠商占據全球87%的份額。

　　光刻膠有不同的技術類別，低端的中g線/i線光刻膠自給率約為20%，KrF光刻膠自給率不足5%，而高端的ArF光刻膠完全依賴進口，是國內半導體的卡脖子技術之一。

　　雖然南大光電的ArF光刻膠現在通過的是55nm工藝認證，但ArF光刻膠涵蓋的工藝技術很廣，可用于90nm-14nm甚至7nm技術節點制造工藝，廣泛應用于高端芯片制造(如邏輯芯片、存儲芯片、AI 芯片、5G芯片和云計算芯片等)。

　　(原標題：南大光電高端ArF光刻膠獲得突破未來可用于7nm工藝)

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