英特爾：已拿下ASML明年上半年大部分NA極紫外光刻設備！

2024-05-22 09:43:41來源：OFweek激光網關鍵詞：光刻設備閱讀量：22806

導讀：英特爾的競爭對手如三星和SK海力士則必須等到2025年下半年才能獲得此類設備。他們還表示，這家美國芯片制造商在宣布重新進入芯片代工或代工芯片生產業務時，搶先購買了這些設備。

　　據韓媒報道，英特爾已經獲得了阿斯麥(ASML)在明年上半年制造的大部分高數值孔徑 (NA) 極紫外 (EUV) 光刻設備。

　　ASML今年計劃生產5臺高NA EUV光刻設備，而這些設備將全部供應給英特爾。

　　他們表示，ASML每年生產高數值孔徑(NA) EUV設備的能力約為5-6臺，由此可見英特爾已經獲得了計劃在2024年生產的全部5臺設備——每臺單位的成本約為3.7億美元，這凸顯了英特爾在先進制造技術上的巨大投資。

　　與此同時，英特爾的競爭對手如三星和SK海力士則必須等到2025年下半年才能獲得此類設備。他們還表示，這家美國芯片制造商在宣布重新進入芯片代工或代工芯片生產業務時，搶先購買了這些設備。

　　許多人或許會禁不住好奇：臺積電何時會加入這一潮流。到目前為止，該公司表示，它沒有看到高數值孔徑(NA)的配置對客戶帶來的好處，因此在可預見的未來，它將堅持使用極紫外(EUV)光刻設備。不過，對臺積電來說，此舉或許并不壞，因為它不乏高收入客戶。包括英偉達(Nvidia)、AMD、蘋果(Apple)甚至英特爾(Intel)在內的科技巨頭，已經準備好并愿意為英特爾先進的產品付出任何代價，所以我們必須等上幾年，才能看到英特爾的這場賭博是否會得到回報。

　　ASML的高數值孔徑 (NA) 極紫外EUV設備，是2nm工藝節點芯片的必備設備，單價超過5000億韓元。

　　數值孔徑 (NA) 是收集和聚焦光線能力的衡量標準。數值越高，收集光的效果越好，高NA EUV設備的NA從0.33提高到0.55。這基本上意味著設備可以繪制更精細的電路圖案。近年來，通過改變用于將圖案投影到晶圓上的光學器件的設計，高數值孔徑 EUV 技術在分辨率和晶體管尺寸方面取得了重大進步。

　　英特爾正在比競爭對手更快地采用高數值孔徑 (NA) 極紫外 (EUV) 光刻設備，以贏得客戶。該公司于2021年重新進入代工市場，但去年該業務虧損了70億美元。

　　英特爾于今年1月從ASML獲得了首臺高NA EUV設備，并于4月中旬在俄勒岡州完成了組裝。這臺TWINSCAN EXE:5000設備是該類型的首個商用光刻系統，英特爾計劃使用它來減少外包晶圓的總數，從而提升其代工業務的盈利能力。

　　該公司希望這將有助于其陷入困境的代工業務開始扭轉命運，此前該公司在2023年報告中達到了70億美元的運營虧損。

　　盡管該設備預計要到2025年才能全面投入使用，但英特爾已經表示將利用其生產14A工藝芯片，并預計在2026年左右實現全面運營。這顯示了英特爾在先進制造技術方面的長期規劃和堅定決心。考慮到所涉及的時間表，英特爾將如何處理5臺高NA設備還有待觀察，因為它不會在芯片的整個生產過程中使用它們。

　　ASML是制造先進的3nm和5nm芯片所需的極紫外光刻機的全球供應商。ASML總部位于荷蘭埃因霍溫郊區，是歐洲最有價值的科技公司，市值為3387億歐元(3632億美元)。

　　該公司的高NA EUV機器的工作原理是用激光撞擊加熱到大約22萬攝氏度((396032華氏度)的錫滴，產生13.5nm波長的光，這在地球上是不會自然產生的。然后，這些光被一個包含電路模式模板的掩模反射，然后通過一個由有史以來精確的鏡子組成的光學系統。

　　2024年4月，長期擔任ASML首席執行官的Peter Wennink宣布退休，接替他的是該公司前首席商務官Christophe Fouquet。

　　ASML作為制造先進芯片所需極紫外光刻機的全球供應商，其高NA EUV設備的工作原理涉及復雜的物理過程。通過激光撞擊加熱到極高溫度的錫滴，產生特定波長的光，然后通過精密的光學系統將這些光反射并聚焦到晶圓上，從而實現高精度的圖案刻蝕。

　　隨著技術的不斷進步和市場需求的增長，先進制造技術已成為芯片制造領域的核心競爭力。英特爾此次購買高NA EUV設備將進一步提升其在代工市場的競爭力，并有助于推動整個芯片產業的創新發展。

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