安森美半導體推出業(yè)界首款圖騰柱PFC控制器

2021-06-23 15:53:50來源：TechWeb 關鍵詞：PFC控制器工業(yè)控制器閱讀量：23255

導讀：在傳統(tǒng)的PFC電路中，整流橋二極管在240W電源中的損耗約4W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實現(xiàn)類似的性能。

　　6月23日消息，安森美半導體(ON Semiconductor)推出業(yè)界首款專用臨界導通模式(CrM)圖騰柱PFC控制器，這是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。

　　在傳統(tǒng)的PFC電路中，整流橋二極管在240W電源中的損耗約4W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實現(xiàn)類似的性能。然而，用"圖騰柱"配置的開關取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開關類型，無論是超級結硅MOSFET還是碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶開關。

　　新的NCP1680 CrM圖騰柱PFC控制器采用新穎的電流限制架構和線路相位檢測，同時結合經驗證的控制算法，提供高性價比的圖騰柱PFC方案，而不影響性能。該IC的核心是內部補償數(shù)字環(huán)路控制。該創(chuàng)新器件采用含谷底開關的恒定導通時間CrM架構。由于內置非連續(xù)導通模式(DCM)，在頻率返走工作期間谷底同步導通，因此可滿足現(xiàn)代能效標準，包括那些要求在輕載下提供高能效的標準。

　　該高度集成的器件可使電源設計在通用電源(90至265Vac)下以高達350W的建議功率水平工作。在230Vac電源輸入下，基于NCP1680的PFC電路能夠在300W實現(xiàn)近99%的能效。在外部只需幾個簡單的器件即可實現(xiàn)全功能圖騰柱PFC，從而節(jié)省空間和器件成本。進一步減少器件數(shù)，實現(xiàn)逐周期電流限制，無需霍爾效應傳感器。

　　NCP1680采用小型SOIC-16封裝，也可作為評估平臺的一部分，支持快速開發(fā)和調試前沿的圖騰柱PFC設計。

　　根據(jù)圖騰柱開關技術中，當中包括了高速半橋和低速半橋兩路，其中在高速半橋上，NCP1680 可與NCP51820半橋GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)門極驅動器或NCP51561隔離型SiC MOSFET 門極驅動器一起使用

　　NCP51561是隔離型雙通道門極驅動器，具有4.5A源電流和9A灌電流峰值能力。新器件適用于硅功率MOSFET和基于SiC的MOSFET器件的快速開關，提供短且匹配的傳播延遲。兩個獨立的5 kVRMS(UL1577級)電隔離門極驅動器通道可用作兩個下橋、兩個上橋開關或一個半橋驅動器，具有可編程的死區(qū)時間。一個使能引腳將同時關斷兩個輸出，且NCP51561提供其他重要的保護功能，如用于兩個門極驅動器的獨立欠壓鎖定(UVLO)和使能功能。

　　安森美半導體提供陣容廣泛的SiC MOSFET，它們比硅MOSFET提供更高能效。低導通電阻 (RDS(on))和小巧的芯片尺寸確保低電容和門極電荷(Qg)，以在更小的系統(tǒng)尺寸中提供高的能效，從而提高功率密度。安森美半導體已發(fā)布采用TO-247-4L和D2PAK-7L封裝的650 V SiC MOSFET，并將繼續(xù)猛增該產品系列。此外，安森美半導體提供完整的硅基650 V SUPERFET® III MOSFET產品組合。

　　(原標題：安森美半導體推出業(yè)界首款圖騰柱PFC控制器)

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