美國打錢補(bǔ)貼 Intel 200億美元的晶圓廠開工：首發(fā)“2nm”工藝

2022-07-09 09:24:49來源：快科技關(guān)鍵詞：晶圓制造芯片閱讀量：24881

導(dǎo)讀：據(jù)digitimes報(bào)道，日前傳出Intel出正式購得美國俄亥俄州新晶圓廠所需的土地，這項(xiàng)投資金額高達(dá)200億美元。

　　在Intel去年推出的IDM 2.0戰(zhàn)略中，在美國本土投資200億美元建設(shè)2座先進(jìn)工藝晶圓廠是非常關(guān)鍵的一環(huán)，前幾天傳出了跳票的消息，因?yàn)槊绹俜降?20億美元芯片補(bǔ)貼法案還沒通過，不過現(xiàn)在消息稱Intel已經(jīng)得到了補(bǔ)貼，新工廠已經(jīng)開工了。

　　據(jù)digitimes報(bào)道，日前傳出Intel出正式購得美國俄亥俄州新晶圓廠所需的土地，這項(xiàng)投資金額高達(dá)200億美元。

　　雖然工廠開工了，但是Intel的晶圓廠還有很多問題，美國政府補(bǔ)助將決定建廠規(guī)模，此前Intel表示由于政府520億美元規(guī)模的芯片法案陷入停滯，他們不得不推遲或者削減在俄亥俄州的投資規(guī)模，甚至威脅去歐洲建廠。

　　根據(jù)Intel之前的信息，新建的兩座晶圓廠分別會命名為Fab 52、Fab 62，并首次透露這些工廠將會在2024年量產(chǎn)20A工藝，這是Intel面向未來的CPU工藝，首次進(jìn)入后納米時(shí)代，首發(fā)埃米級工藝，其中的A就代表埃米。

　　雖然工藝細(xì)節(jié)還沒公布，不過20A相當(dāng)于友商的2nm工藝，還會有2大黑科技——Ribbon FET及PowerVia。

　　根據(jù)Intel所說，RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實(shí)現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)。該技術(shù)加快了晶體管開關(guān)速度，同時(shí)實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動電流，但占用的空間更小。

　　PowerVia是Intel獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。

　　原標(biāo)題：美國打錢補(bǔ)貼 Intel 200億美元的晶圓廠開工：首發(fā)“2nm”工藝

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