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在全球半導(dǎo)體行業(yè)下行壓力下，博世(Bosch)繼續(xù)大力投資半導(dǎo)體制造。自2010年以來，該公司已經(jīng)投資了超35億歐元，現(xiàn)在又追加30億歐元，一部分用于兩個(gè)芯片研發(fā)中心的建設(shè)，一部分用于擴(kuò)建晶圓廠等。
具體來說，博世計(jì)劃在德國羅伊特林根和德累斯頓各建設(shè)一個(gè)新的開發(fā)中心，總投資額超過 1.7 億歐元。此外，該公司明年將在德累斯頓投資 2.5 億歐元，擴(kuò)建工廠，增加3000平方米的潔凈室。與此同時(shí)，這家頂級汽車芯片供應(yīng)商開始專注于新的SoC技術(shù)。
此外，該公司計(jì)劃制造雷達(dá)傳感器，因?yàn)樗鼈兪?360 度檢測車輛周圍環(huán)境所必需的，例如在自動(dòng)駕駛中，體積更小，更智能，同時(shí)更具成本效益。該公司表示，它將專注于對電動(dòng)汽車特別重要的芯片技術(shù)，即結(jié)構(gòu)寬度在 40 至 200 nm之間的組件。
博世的另一個(gè)重點(diǎn)是新的半導(dǎo)體技術(shù)。自 2021 年底以來，博世一直在羅伊特林根生產(chǎn)用于電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車電力電子設(shè)備的碳化硅芯片 (SiC)。依托于該技術(shù)，該公司已經(jīng)能夠?qū)㈦妱?dòng)汽車的續(xù)航里程增加多達(dá)6%。對 SiC 組件的需求很高，博世的訂單已滿，市場繼續(xù)強(qiáng)勁增長——平均每年增長 30%。博世已經(jīng)在研究其他技術(shù)，以提高電力電子產(chǎn)品的效率和成本效益。
“我們正在研究開發(fā)基于氮化鎵 (GaN) 的電動(dòng)汽車晶體管和模塊，例如已經(jīng)用于筆記本電腦和智能手機(jī)充電器的晶體管和模塊，”博世管理委員會(huì)主席 Stefan Hartung 說。為了在車輛中使用，這些芯片必須變得更加堅(jiān)固，并且能夠承受比以前更高的電壓，最高可達(dá) 1200 伏。
博世計(jì)劃投資 4 億歐元，進(jìn)一步擴(kuò)大羅伊特林根的半導(dǎo)體生產(chǎn)。除其他外，該建筑的一個(gè)新部分正在建設(shè)中，該部分額外增加了約 3，600 平方米的潔凈室面積。總體而言，羅伊特林根的潔凈室面積將從目前的約 35，000 平方米增加到 2025 年底的 44，000 多平方米。
目前博世已向歐盟申請資金，支持歐洲共同利益(IPCEI)預(yù)算重要項(xiàng)目的投資，以推動(dòng)歐洲芯片產(chǎn)量到2030年占全球產(chǎn)量的20%，目前約為8%。
在羅伊特林根，博世基于150毫米和200毫米技術(shù)的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)運(yùn)營了50年。在德累斯頓，該公司自 2021 年以來一直在直徑為 300 毫米的晶圓上制造半導(dǎo)體芯片。博世在羅伊特林根和德累斯頓制造的芯片包括專用集成電路(ASIC)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS 傳感器)和功率半導(dǎo)體。
與此同時(shí)，博世還正在馬來西亞檳城從零開始建立半導(dǎo)體測試中心。從 2023 年開始，該公司的目標(biāo)是在那里測試成品半導(dǎo)體芯片和傳感器。
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