安世半導體將投2億美元擴大研發生產能力

2024-06-29 09:23:16來源：蓋世汽車關鍵詞：高效功率半導體閱讀量：22446

導讀：據悉，為了滿足對高效功率半導體日益增長的長期需求，安世半導體將從2024年6月開始在德國研發和生產SiC、GaN和Si三種技術。

　　半導體制造商Nexperia(安世半導體)近日宣布，計劃投資2億美元(約合1.84億歐元)研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產基礎設施。同時，晶圓廠的硅(Si)二極管和晶體管產能將會增加。

　　據悉，為了滿足對高效功率半導體日益增長的長期需求，安世半導體將從2024年6月開始在德國研發和生產SiC、GaN和Si三種技術。

　　其中第一條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產線已于2024年6月投入使用。下一個里程碑將是建立200毫米SiC MOSFET和低壓GaN HEMT生產線。這些生產線將在未來兩年內在漢堡工廠完成。同時，該項投資還將幫助進一步實現漢堡工廠現有基礎設施的自動化，并通過逐步轉向使用200毫米晶圓來擴大硅的產能。

　　安世半導體指出，這一舉措充分展現了其對電氣化和數字化領域關鍵技術的有力支持，“SiC和GaN半導體使數據中心等高功率應用能夠以出色的效率運行，同時也是可再生能源應用和電動汽車的核心構件。這些寬禁帶技術具有巨大的潛力，對實現脫碳目標越來越重要。”

　　值得注意的是，此項投資是安世半導體在漢堡洛克施泰特工廠百年歷史中的又一個重要里程碑。據悉，自1924年Valvo Radioröhrenfabrik成立以來，該工廠不斷發展，如今為全球約四分之一的小信號二極管和晶體管需求提供支持。

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