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集成電路、場效應管

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產(chǎn)品型號IPB027N10N3GATMA1

品牌英飛凌/Infineon

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地深圳市

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聯(lián)系方式：方奕珊查看聯(lián)系方式

更新時間：2022-06-06 13:25:25瀏覽次數(shù)：294次

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深圳瑞兆來科技有限公司

經(jīng)營模式：經(jīng)銷商

商鋪產(chǎn)品：21條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：方奕珊（銷售經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡介

封裝	TO263-3	批次	2202+

英飛凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以為高效率、高功率密度的 SMPS 提供解決方案。與下一代出色技術(shù)相比，該系列在 R Ds（on）和 FOM（品質(zhì)因數(shù)）方面均降低了30％。

特征描述

優(yōu)異的開關性能
世界較低的 (R Ds(on))
極低的 Qg 和 Qgd
出色的柵極電荷 x R DS（on）產(chǎn)品（FOM）
符合 RoHS 標準 - 無鹵素
MSL1 評級

詳細介紹

品牌：	INFINEON
型號：	IPB027N10N3GATMA1
封裝：	TO263-3
造商：	Infineon
產(chǎn)品種類：	MOSFET
RoHS：	是
安裝風格：	SMD/SMT
封裝 / 箱體：	PG-TO-263-3
通道數(shù)量：	1 Channel
晶體管極性：	N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：	100 V
Id-連續(xù)漏極電流：	120 A
Rds On-漏源導通電阻：	2.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：	10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：	2 V
Qg-柵極電荷：	155 nC
工作溫度：	- 55°C +175°C
Pd-功率耗散：	300 W
配置：	Single
通道模式：	Enhancement
高度：	4.4 mm
長度：	10 mm
系列：	OptiMOS 3
晶體管類型：	1 N-Channel
寬度：	9.25 mm
正向跨導 - 最小值：	94 S
下降時間：	28 ns
上升時間：	58 ns
典型關閉延遲時間：	84 ns
典型接通延遲時間：	34 ns
零件號別名：	IPB027N10N3 G SP000506508 IPB27N1N3GXT
單位重量：	2 g